晶圆三维量测设备 WPM系列

晶圆三维量测设备 WPM系列

半导体量检测设备

晶圆三维量测设备 WPM系列

半导体量检测设备

晶圆三维量测设备 WPM系列

超高测量精度 / 超高检测效率 / 超丰富测量工具

RDLBumpCDEBROverlayTSVRST膜厚

白光干涉、光谱反射、光谱共焦三合一！编程测量：智能阵列、自动测量，自动对焦，自动定位Data Feedback数据库管理；易用性高，自动重测，数据统计分析更多分析功能，报告一键生成；更多功能：数据统计分析等精益制造模块支持定制开发。

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产品特性

丰富的测量功能

粗糙度/膜厚/台阶高度/关键尺寸/Warpage /Bow / Stress/

超高测量精度

形貌重复性 0.03 nm

台阶高度准确性 0.3%

XY最高重复精度 0.19μm

超高检测效率

超快扫描速度：是传统机型的5倍

全自动测量：在线编程设定，自动测量

离线分析：原始数据可二次特定分析

应用示例

三维形貌

Wafer Warp/Bow/TTV/Stress

CMP-表面轮廓

三维尺寸

CD/RDL/EBR-宽度

膜厚

台阶高度

Pilar/RDL-高度

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一站式晶圆三维量测解决方案WPM系列

相关知识

优可测晶圆三维量测 WPM系列的功能及优势

晶圆三维量测 WPM系列应用

晶圆三维量测 WPM系列原理

特种气体的使用解析

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半导体掺杂工艺简介

掺杂是一项至关重要的工艺，它通过向纯净的半导体材料中引入特定种类的杂质原子，从而改变其电导率及其他电学性能

半导体制造过程中的粒子缺陷

粒子缺陷（Particle Defect）指的是在硅片表面或内部形成的微小颗粒或杂质.