晶圆三维量测设备 WPM系列

半导体量检测设备

概述

产品特性

产品规格

应用示例

下载

晶圆三维量测设备 WPM系列

半导体量检测设备

概述

产品特性

产品规格

应用示例

下载

晶圆三维量测设备 WPM系列

超高测量精度 / 超高检测效率 / 超丰富测量工具

RDLBumpCDEBROverlayTSVRST膜厚

白光干涉、光谱反射、光谱共焦三合一！编程测量：智能阵列、自动测量，自动对焦，自动定位Data Feedback数据库管理；易用性高，自动重测，数据统计分析更多分析功能，报告一键生成；更多功能：数据统计分析等精益制造模块支持定制开发。

画册下载产品报价申请样机上门演示免费测样

产品特性

01

丰富的测量功能

粗糙度/膜厚/台阶高度/关键尺寸/Warpage /Bow / Stress/

02

超高测量精度

形貌重复性 0.03 nm

台阶高度准确性 0.3%

XY最高重复精度 0.19μm

03

超高检测效率

超快扫描速度：是传统机型的5倍

全自动测量：在线编程设定，自动测量

离线分析：原始数据可二次特定分析

应用示例

三维形貌

Wafer Warp/Bow/TTV/Stress

CMP-表面轮廓

三维尺寸

CD/RDL/EBR-宽度

膜厚

台阶高度

Pilar/RDL-高度

下载

一站式晶圆三维量测解决方案WPM系列

相关知识

优可测晶圆三维量测 WPM系列的功能及优势

晶圆三维量测 WPM系列应用

晶圆三维量测 WPM系列原理

特种气体的使用解析

从晶圆清洗到刻蚀封装，特种气体以99.999%的纯度贯穿400道工序，既是参与化学反应的"隐形骨架"，更是芯片性能与良率的决定性变量

半导体工艺全流程之薄膜沉积

在刻蚀之后的一个环节，也是所谓的芯片制造中核心工艺之一“薄膜沉积”。

半导体工艺全流程之刻蚀工艺

刻蚀是集成电路制造关键环节，复杂工艺构筑行业壁垒刻蚀是雕刻芯片的精准手术刀。

半导体工艺全流程之光刻工艺

光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高

半导体工艺全流程之氧化工艺

氧化工艺是指在硅（Si）基片上提供氧化剂（水（H2O）、氧（O2））和热能，形成二氧化硅（SiO2）膜的工艺。Si+O2→SiO2。

半导体工艺全流程之晶圆工艺

制造晶片需要硅，是芯片制造的基础原料之一

晶圆Lot介绍

“Lot”（批次）是一个核心管理概念，指一起进入生产流程的一组晶圆（wafers）

半导体工艺全流程之离子注入

在半导体制造的微观世界里，有这样一项关键工艺，它如同神奇的画笔，能够在微观尺度上精准地改变半导体材料的性质，为芯片等半导体器件赋予独特的性能，它就是离子注入。

芯片钝化层介绍

钝化层是覆盖在芯片表面的一层关键薄膜，用于保护内部结构免受外界环境影响

硅的电阻率与方阻

正确理解电阻率和方阻的定义与区别，对材料选择、工艺设计和性能评估至关重要。

刻蚀选择比Etch Selectivity

刻蚀选择比，也称为刻蚀选择性，是描述在相同刻蚀条件下，一种材料相对于另一种材料刻蚀速率快慢的比值。

芯片的软失效（Soft fail）和硬失效（Hard fail）

在芯片测试过程中，Soft Fail（软失效）和 Hard Fail（硬失效）是两个关键概念，用于区分测试中发现的故障类型。它们反映了芯片在功能或电气特性上的不同层次的问题，对良率分析、失效定位、可靠性评估和量产决策具有重要意义。

光刻工艺中的常见缺陷分析

光刻过程中，常见的图形缺陷主要包括桥连、断线和形貌失真三类。这些缺陷往往由光学极限、工艺波动或环境因素引起，轻则导致电路性能下降，重则造成芯片功能完全失效，对量产良率和可靠性构成严峻挑战

半导体掺杂工艺简介

掺杂是一项至关重要的工艺，它通过向纯净的半导体材料中引入特定种类的杂质原子，从而改变其电导率及其他电学性能

半导体制造过程中的粒子缺陷

粒子缺陷（Particle Defect）指的是在硅片表面或内部形成的微小颗粒或杂质.

半导体制造中的量测和检测的区别

在半导体制造过程中，量测与检测是保障产品良率和性能的核心环节，在关键工艺节点部署精确的量测与检测流程，对于确保和维持高良率至关重要。

3D NAND工艺及其演进介绍

3D NAND核心思路是放弃在平面上继续微缩，转而向垂直方向堆叠存储单元。

Intel 18A的工艺介绍

Intel 18A被视为该公司迄今为止大规模生产的最先进工艺技术

先进封装中凸点的材质及作用

半导体封装（尤其是倒装芯片 Flip Chip 和晶圆级封装 WLP）中，凸点（Bump）是取代传统金属引线（Wire Bond）的关键互连结构。简单来说，它是长在芯片焊盘（Pad）上的一个个小小的金属“柱子”，负责把芯片倒扣过来焊在基板上。

光刻工艺中的LER

在纳米级光刻工艺中，线边缘粗糙度（Line Edge Roughness, LER）是指光刻图案边缘与理论上完美光滑边缘之间的随机偏差。

半导体未封装芯片的筛选、测试与金属化连接技术

在半导体封装领域，已知好芯片（KGD）技术作为提升多芯片模块（MCM）成品率的核心支撑，其发展路径始终围绕“高合格率芯片筛选”与“高效缺陷检测”两大主线展开。传统封装后测试体系虽已成熟，通过DIP、PLCC、PGA等封装形式的专用插座可实现全功能、全温域、全频率的可靠性验证，配合老化试验可剔除初期致命缺陷，使封装块合格率达0.99999以上。

什么是高阻硅

高阻硅（High-Resistivity Silicon，简称 HR-Si）是指具有极高电阻率的单晶硅材料。

湿法刻蚀中BOE,BHF,DHF

在半导体湿法制程中，DHF、BHF 和 BOE 都是以氢氟酸（HF）为核心基础，专门用来刻蚀或清洗二氧化硅（SiO2）的化学品。