材料本质：没有区别（都是单晶硅）
MEMS 和 IC 用的都是：单晶硅（Single Crystal Silicon）。
常见取向：<100> / <110> / <111>。
制备方法：CZ（直拉法）或 FZ（区熔法） 。
从晶体结构、原子排列、基本物理性质（禁带宽度、晶格常数）来看：完全一样，没有本质区别。
核心区别：工程使用逻辑完全不同
1，IC（集成电路）：电学优先IC里的硅，关注点：
掺杂浓度（p/n型精确控制）。
载流子迁移率。
缺陷密度（影响漏电、良率）。
表面态（MOS界面质量）。
平整度（纳米级）。
总结：IC的硅是“用来导电、控电的”。
2， MEMS：机械 + 多物理场优先，MEMS里的硅，本质是一个“结构材料”：
关注点：杨氏模量（~130–180 GPa，方向相关），内应力，疲劳寿命，刻蚀各向异性（KOH/TMAH），厚度（几十 μm 到几百 μm）。
总结：MEMS的硅是“用来做梁、做结构、做器件本体的”。
3， 掺杂差异
IC：精确控制掺杂（功能核心）。
MEMS：有时只做导电，有时甚至用本征硅。
晶向使用差异：MEMS特别依赖晶向：<100> 晶向（最常用）。
KOH刻蚀形成 54.7° V形槽。
IC中：晶向影响迁移率，但没有MEMS这么“决定结构形状”
4， 是否“释放结构”
MEMS：必须 release（释放）有悬臂梁、空腔。
IC：完全固态堆叠，没有机械运动。
