CoWoS与CoPoS的区别
2025-08-22

CoPoS 其实是 Chip-on-Package-on-Substrate 的缩写,有时也叫 Chip-on-Package-on-Substrate stacking。

它是一种先进封装架构,主要用于高性能运算芯片(HPC、AI加速器、GPU 等)中,把多个裸芯片通过中介层(interposer 或 RDL 层)以及基板有机结合起来。它的概念介于传统 CoB(Chip on Board)、CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate,台积电的技术) 和 InFO(Integrated Fan-Out) 之间。

和 CoWoS 相比,CoPoS 的最大优势在于它的封装思路更接近“模块化”。CoWoS 强调在一整块大面积硅中介层上,把逻辑芯片和 HBM 紧密放在一起,因此它能提供极高的互连密度和带宽,但这种方式的代价是中介层面积过大,制造良率下降,成本也随之升高。

相反,CoPoS 并不依赖整片大硅片,而是让芯片先被组装在较小的封装单元中,再把这些单元安装到基板上,就像在基板上拼装不同的功能模块。这种方法不仅减少了大面积硅中介层带来的制造风险,还能在模块阶段先行筛选和测试,提高整体的良率。

从成本角度看,CoPoS 避免了昂贵的大硅片工艺,因此更加可控,也更容易在大规模系统中推广。从扩展性看,它允许通过增加封装单元的数量来实现芯片规模的扩张,尤其适合 chiplet 这种拼接式的架构需求。

而在散热设计上,CoPoS 因为模块尺寸较小,散热路径更短,优化手段更多,不像 CoWoS 那样必须处理一整片大面积器件的热管理。更重要的是,CoPoS 给了系统设计者更大的自由度,不同工艺节点的芯片可以先在独立的载体上完成,再组合进统一封装,异构集成的灵活性比 CoWoS 更强。

因此,如果说 CoWoS 代表的是高带宽、紧耦合的集成方式,适合追求极限性能的高端 GPU 和 AI 芯片,那么 CoPoS 更像是一种面向规模化、成本和良率兼顾的方案,它在 AI 和 HPC 大芯片拼接的趋势下,成为更有扩展性的选择。