刻蚀深度与台阶形貌直接决定后续薄膜沉积与器件电学参数的一致性，是工艺调试的核心反馈数据。硅片刻蚀后的图形尺寸微小，且同一片内深浅量程并存，检测要求同时覆盖大台阶与纳米级细节。SEM 测量需进入真空腔体、制样环节破坏样品且效率偏低，难以支撑工艺迭代的反馈节奏。产线需要一种快速、无损、可重复的三维定量手段，并满足刻蚀深度控制在设计值 ±10% 以内的判定要求。
采用优可测白光干涉仪 AM-7000 系列，以非接触光学方式获取刻蚀区域的三维形貌，可直接输出刻蚀深度、台阶高度与侧壁轮廓数据。垂直方向具备亚纳米级分辨能力，可分辨纳米级台阶；横向通过物镜倍率与视场拼接适配微小图形的多量程测量，深浅结构在同一测量流程中完成；测量过程无需真空环境、不破坏样品，同一位置可重复测量以验证结果一致性，为刻蚀工艺调试提供可回溯的定量依据。
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