引线键合（Wire Bonding）
原理：通过金属线（金、铜或铝）连接芯片焊盘与基板引脚，是最早的互连技术。
应用场景：低密度封装，如消费电子和移动设备的DRAM/NAND芯片。

倒装芯片（Flip Chip）
原理：芯片正面朝下，通过金属凸点（Bump）直接焊接至基板，缩短电气路径，提升高频性能。
应用场景：CPU、GPU、高速DRAM等高性能芯片。

硅通孔（TSV）键合
原理：在硅芯片或中介层上钻孔并填充导电材料（如铜），实现垂直堆叠互连，支持3D封装。
应用场景：高带宽存储器（HBM）、3D IC集成。

混合键合（Hybrid Bonding）
原理：结合铜-铜直接键合和氧化物介质键合，实现无焊料、超细间距（<1μm）连接，支持小芯片（Chiplet）异构集成。
应用场景：CMOS图像传感器、HBM高密度堆叠。

晶圆级封装（WLP）与扇出型封装（FOWLP）
WLP：在晶圆阶段完成封装，支持芯片尺寸封装（Fan-In）和扩展型封装（Fan-Out）。
FOWLP：通过环氧模塑料（EMC）扩展布线区域，实现多芯片集成。

二、关键工艺点

引线键合
工艺类型：热压焊（金线）、超声焊（铝线）、热超声焊（金线）。
挑战：高频性能受限、信号延迟。

倒装芯片
关键步骤：晶圆凸块制备→切割与倒装→回流焊接→底部填充（Underfill）。
凸点类型：焊料（Sn-Ag-Cu）或铜柱（Cu Pillar），后者支持更高密度。

TSV工艺
流程：深孔刻蚀→绝缘层沉积→阻挡层/种子层→电镀填充铜。

混合键合
关键技术：铜表面纳米级平整度控制、无空洞键合，需结合光刻对准技术。

晶圆级封装
核心工艺：重布线层（RDL）和铜柱凸点，布线密度可达2μm线宽/间距。

三、原材料

金属材料
引线键合：金线（高导电性）、铜线（低成本但易氧化）、铝线（低端封装）。
凸点与TSV：铜（主流填充材料）、焊料合金（Sn-Ag-Cu）。
混合键合：铜（直接键合）、二氧化硅（介质层）。

基板与中介层材料
有机基板：低成本，用于消费电子；
硅中介层：高布线密度（0.8μm线宽），但成本高。
覆铜陶瓷基板：用于第三代半导体（如SiC）封装，具有高热导率，市场需求激增。

保护与填充材料
底部填充胶：环氧树脂，缓解热应力。
模塑料：环氧模塑料（EMC），用于扇出型封装。