阻变存储器的功能层厚度通常在数十纳米量级，膜厚与界面台阶精度直接决定器件的开关特性与一致性。若台阶测量不准，器件结构的真实尺寸无法验证，工艺一致性也无从判断，微小偏差就会导致器件性能离散。
优可测白光干涉仪实现薄膜台阶高度的高精度测量，1-σ 台阶准度最高可达 0.2%、台阶重复性最高 0.05%（依据 ISO 5436 测 12 μm 标准台阶块），可定量给出超薄功能层的厚度与界面台阶。
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