氧化镓作为第四代超宽禁带半导体材料，衬底表面粗糙度与三维形貌直接影响后续外延质量与器件性能。传统原子力显微镜（AFM）单点测量需近 20 分钟，效率远不能满足研发部门大量样品的快速迭代需求。
采用白光干涉仪 AM-7000 系列，高精度压电陶瓷（PZT）+ 3200Hz CMOS 相机 + SST/GAT 算法，500 万点云瞬间采集。约 3 秒生成测试报告，检测效率较 AFM 提升约 400 倍。样品重复性偏差 0.006nm，与原子力显微镜对比测试精度一一对应。
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