晶圆翘曲（Warp）、弯曲（Bow）、总厚度变化（TTV）与应力（Stress）是晶圆制造及先进封装中的核心几何参数。Warp/Bow 超差会导致光刻对焦失败、键合精度下降，严重时引发碎片；TTV 偏差影响减薄后晶圆的厚度均匀性与芯片一致性；应力分布不均则使晶圆形变，传导至后续制程拉低整体良率。传统接触式测厚与单点抽检难以获取全晶圆真实三维形貌，无法满足量产级监控需求。
采用晶圆三维量测设备 WPM 系列，基于光谱反射原理测量，精度可达 0.1μm，一次扫描获取全晶圆三维形貌，同步输出 Warp、Bow、TTV、Stress 多项参数。非接触测量不损伤晶圆，配合高度检测工具，适配晶圆制造与先进封装产线的快速全检节奏。
