在晶圆制造与先进封装中，关键尺寸（CD）、重布线层（RDL）线宽线距及边缘去除（EBR）宽度直接决定器件性能与封装良率。CD 一致性偏差会影响晶体管电学特性；RDL 线宽线距不均匀会导致信号完整性恶化；EBR 宽度异常则影响晶圆边缘有效区域利用率。传统测量依赖 SEM 抽检，通量低、覆盖有限，难以支撑晶圆级批量检测需求。
采用晶圆三维量测设备 WPM 系列，搭载线宽检测工具，轻松完成 1.8μm 以上线宽制程要求，非接触快速输出 CD、RDL 线宽线距与 EBR 宽度等参数。一次扫描覆盖全晶圆，替代单点抽检，适配产线批量检测节奏。
