氧化硅不均或质量不良在半导体制造中会带来一系列严重影响，例如电学性能变化、器件有效性和可靠性、后道工艺CMP难度增大等问题。
反射式膜厚仪精准测量氧化硅的均匀性，实现工艺监控优化。
✅ 无损：非接触式测量，不损坏样品。
✅ 精度：0.1nm精度、可生成3D热力视图。
✅ 效率：单点检测速度＜1s。
