SiO2-膜厚

行业痛点
氧化硅不均或质量不良在半导体制造中会带来一系列严重影响，例如电学性能变化、器件有效性和可靠性、后道工艺CMP难度增大等问题。

解决方案
反射式膜厚仪精准测量氧化硅的均匀性，实现工艺监控优化。

核心价值
✅无损：非接触式测量，不损坏样品。
✅精度：0.1nm精度、可生成3D热力视图。
✅效率：单点检测速度＜1s。

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